SiC功率金属-半导体场效应管的陷阱效应模型

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篇1：SiC功率金属-半导体场效应管的陷阱效应模型

SiC功率金属-半导体场效应管的陷阱效应模型

针对4H-SiC射频大功率MESFET,建立了一个解析的'陷阱效应模型,该模型采用简化参数描述方法,并结合自热效应分析,从理论上完善了SiC MESFET大信号直流I-V特性的解析模型,且避免了数值方法模拟陷阱效应的巨大计算量.

作 者：杨林安 张义门 于春利 张玉明  作者单位：西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071 刊 名：物理学报  ISTIC SCI PKU英文刊名：ACTA PHYSICA SINICA 年，卷(期)： 52(2) 分类号：O4 关键词：碳化硅   陷阱效应   金属-半导体场效应晶体管   深能级陷阱   界面态  

篇2：稳态、瞬态X射线辐照引起的互补性金属-氧化物-半导体器件剂量增强效应研究

稳态、瞬态X射线辐照引起的互补性金属-氧化物-半导体器件剂量增强效应研究

重点开展了稳态、瞬态X射线辐照引起的.金属-氧化物-半导体(CMOS)器件剂量增强效应relative dose enhance ment effect(RDEF)研究.通过实验给出辐照敏感参数随总剂量的变化关系,旨在建立CMOS器件相同累积剂量时X射线辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等效关系.在脉冲X射线源dense plasma focus(DPF)装置上,采用双层膜结构开展瞬态翻转增强效应研究,获得了瞬态翻转剂量增强因子.这些方法为器件抗X射线辐照加固技术研究提供了实验技术手段.

作 者：郭红霞 陈雨生 张义门 周辉 龚建成 韩福斌 关颖 吴国荣  作者单位：郭红霞(西安电子科技大学微电子学研究所,西安,710000;西北核技术研究所,西安,710024)

陈雨生,周辉,龚建成,韩福斌,关颖,吴国荣(西北核技术研究所,西安,710024)

张义门(西安电子科技大学微电子学研究所,西安,710000)

刊 名：物理学报  ISTIC SCI PKU英文刊名：ACTA PHYSICA SINICA 年，卷(期)：2001 50(12) 分类号：O4 关键词：X射线   剂量增强因子   总剂量效应   剂量率效应